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  1. 一种用于氮化镓单晶片的澳门永利线上娱乐,澳门永利真人游戏,永利皇宫赌412双面抛光方法,其特征在于,使用双面抛光机,上盘和下盘为澳门永利线上娱乐,澳门永利真人游戏,永利皇宫赌412,配上粒径为W0.5的金刚石抛光液,将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上,其中上盘设为螺旋凹槽条纹,并且相近的两条凹槽间距为1.5mm,凹槽深度为15μm,下盘为同心圆槽条纹,并且相近的两条凹槽间距为1mm,凹槽深度为20μm,压力为100-500g /cm2,转速为10-40 r /min,金刚石抛光液的流量为5ml-20ml /min。

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  说明书

  一种用于氮化镓单晶片的澳门永利线上娱乐,澳门永利真人游戏,永利皇宫赌412双面抛光方法

  技术领域

  本发明涉及半导体材料的加工,特别是涉及一种用于氮化镓单晶片的澳门永利线上娱乐,澳门永利真人游戏,永利皇宫赌412双面抛光方法。

  背景技术

  氮化镓(GaN)晶体是新型第三代半导体电子材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、介电常数小、热导率大和化学稳定性等优点,在光显示、光存储、光探测等光电子器件和高温、高频大功率电子等器件领域有广阔的应用前景。

  GaN晶片的表面状态对其作为器件和外延衬底应用有着重要影响。在器件制造过程中,GaN晶片表面存在的划痕和损伤层,会使晶格发生周期性严重破坏,形成空间电荷区,造成表面漏电流,使其器件噪声和漏电流增加,从而影响了GaN基电极接触和器件性能,影响器件的可靠性和成品率。因此,GaN衬底晶片必须经过多道研磨及抛光流程,尤其高精密抛光加工难度大,耗时长,成本高。

  传统的双面抛光布方法存在抛光时间长,效率低,0.03μm/min左右,锡盘双面抛光为0.35μm/min左右,锡盘双面抛光TTV小于2μm,双面抛光布的TTV参数较高,6μm左右,见表1。

  发明内容

  鉴于现有技术存在的问题,本发明提出一种用于氮化镓单晶片的澳门永利线上娱乐,澳门永利真人游戏,永利皇宫赌412双面抛光方法。该方法为新型GaN单晶片的双面锡盘抛光方法,与传统的双面抛光布方法相比,能够获得更高的加工效率和晶片表面质量。

  本发明采用的锡盘双面抛光设备是在原来的设备(兰州瑞德6B双面研磨机)基础上改造的,将原来的两面铸铁盘换成两面澳门永利线上娱乐,澳门永利真人游戏,永利皇宫赌412,上下盘的锡盘刻槽精度必须保持指标。

  为了达到上述目的,本发明采取的技术方案是:一种用于氮化镓单晶片的澳门永利线上娱乐,澳门永利真人游戏,永利皇宫赌412双面抛光方法,其特征在于,使用双面抛光机,上盘和下盘为澳门永利线上娱乐,澳门永利真人游戏,永利皇宫赌412,配上粒径为W0.5的金刚石抛光液,将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上,其中上盘设为螺旋凹槽条纹,并且相近的两条凹槽间距为1.5mm,凹槽深度为15μm,下盘为同心圆槽条纹,并且相近的两条凹槽间距为1mm,凹槽深度为20μm,压力为100-500g /cm2,转速为10-40 r /min,金刚石抛光液的流量为5ml-20ml/min。

  本发明具有以下有益效果:使用澳门永利线上娱乐,澳门永利真人游戏,永利皇宫赌412,配上金刚石抛光液,大大缩短了加工时间,提高了加工效率,并且表面在肉眼观察下,表面细腻,光滑,布满了非常细小的划痕,划痕深度非常小,为后面化学机械抛光工序奠定了良好的基础。从表1可以看出,采用锡盘双面抛光,可以获得更高的去除速率和表面质量。本发明解决了GaN加工效率低的问题,并且大大降低了GaN晶片TTV和Bow两个重要指标。

  表1 双面抛光工艺条件对比表

  通过该方法,在微分干涉显微镜下(50倍)观察晶片表面,几乎看不到晶片表面划痕,然后通过原子力显微镜(AFM)测试,在10μm×10μm区域内,Ra在0.924mn,说明该方法可以获得几乎无表面划痕的表面质量,为下步CMP奠定了很好的基础,节约CMP时间,从5h减少到2h。

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  实施例:将粗磨好的GaN单晶片进行清洗干净,放在双面抛光机上的游星轮,采用澳门永利线上娱乐,澳门永利真人游戏,永利皇宫赌412,配上粒径为W0.5的金刚石抛光液(购买国内富丰源公司的金刚石抛光液),对其GaN单晶片进行双面机械抛光,其中上盘为螺旋凹槽条纹(见图1),并且两条凹槽间距为1.5mm,凹槽深度为15μm,下盘为同心圆槽条纹(见图2),并且两条凹槽间距为1mm,凹槽深度为20μm,压力为400g/cm2,转速为30r/min,金刚石抛光液的流量为8ml/min。

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  金刚石抛光液配合锡盘,二者的作用模式是通过机械作用,使金刚石颗粒可以镶嵌在锡盘表面上,使其固结模式产生磨削作用,可以快速去除晶片,上盘间距1.5mm螺旋条纹,利于金刚石抛光液能够通畅的流到下表面,反之,金刚石抛光液则始终在上表面作用,很少的液流到下表面。下盘间距为1mm的同心圆条纹能够保持金刚石抛光液,间距过宽造成表面划伤严重,速率较慢,间距过窄金刚石抛光液流失浪费,去除速率较慢,最终会造成两面去除不均匀,Bow、TTV参数较差。


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